8月11日，英特尔CEO陈立武在参加一档播客节目时透露，公司正在研究新的内存架构，并探索让CPU与内存进一步堆叠整合的可能性。

陈立武还提到，今年6月加盟英特尔的前SK海力士CEO李锡熙。后者目前担任英特尔代工业务执行副总裁，负责先进封装、系统集成以及后端技术开发和制造。陈立武在谈及此项安排时表示，外界“大概可以猜到”他正在考虑什么方向，不过目前还没有准备公开更多细节。

英特尔晶圆代工执行副总裁李锡熙Intel

事实上，今年以来英特尔已经持续在内存和先进封装领域展开动作。

2月，英特尔与软银旗下SAIMEMORY宣布合作开发ZAM（Z-Angle Memory）。该技术面向AI和高性能计算，重点解决内存容量、带宽和功耗之间的平衡问题。相关原型计划在截至2028年3月的2027财年完成开发，并于2029财年推进商业化。

ZAM部分技术源自英特尔此前参与的NGDB（下一代DRAM键合）项目。该项目已经完成8层DRAM垂直堆叠测试，研究如何通过改进DRAM的堆叠和连接方式来减少高带宽对内存在容量上的牺牲。

NGDB DRAM测评工具桑迪亚国家实验室

到了7月，英特尔一项关于Cross-Batch Memory（XBM）的专利申请被媒体披露。XBM仍采用DRAM，用后道工艺（BEOL)晶体管和串行UCIe链路取代HBM的超宽并行接口。这种设计可以在占用与HBM4相近封装面积的情况下，省去传统HBM所依赖的硅中介层，并缩小整体封装，从而降低组装复杂度和成本。

与此同时，英特尔还在继续推进与这些内存架构相配套的先进封装和3D集成技术包括EMIB、Foveros以及面向3D集成的18A-PT工艺等。

把这些动作放一起就能看出，英特尔目前押注的并非简单恢复传统DRAM或NAND生产，而是想在内存架构上寻找新的切入口。

这也是陈立武对内存业务态度转变的原因。他在访谈中坦言，自己过去并不看好内存业务。在他看来，传统内存长期具有明显的周期性和商品化属性，“我以前的观点是不要投资内存，因为这是大宗商品生意，但现在情况变了。”

变化首先来自AI计算。过去CPU、GPU和内存通常作为相对独立的芯片存在，但随着大模型训练和推理多数据吞吐量的要求不断提高，数据搬运成为新的性能和功耗瓶颈，行业也开始进一步探索HBM之外更紧密的芯片堆叠和系统集成。

陈立武此次也直接把CPU与内存堆叠放在一起讨论，认为两者之间仍有新的组合方式，并可以通过改变内存架构进一步缩短CPU与存储之间的距离。

不过，多家媒体指出英特尔回归内存市场的前景尚不明朗。Tom's Hardware指出，如果英特尔真正恢复大规模内存制造，不仅需要重新投入晶圆厂，还要建立具有竞争力的制造工艺，并承担较长的建设和验证周期。在英特尔仍需要持续投入CPU产品和代工业务的情况下，公司是否愿意再次为传统内存投入大量资本仍存在疑问。

韩国ZDNet也认为，陈立武此次表态不应被理解为英特尔准备恢复通用DRAM业务，而更可能意味着公司正在提高对下一代内存技术的投入。

即便新的内存架构能够实现商业化，进入AI市场同样并不容易。《商业邮报》指出，目前英伟达占据超过80%的AI加速器市场，其硬件和软件生态已经围绕HBM建立，新的内存架构很难在短期内全面替代HBM。即使ZAM后续实现量产，也更可能先出现在定制AI芯片或部分以推理为主的产品中，作为HBM的补充。

对于英特尔而言，这种犹豫并不陌生。公司成立之初正是以内存起家，1969年推出3101 SRAM，1970年又推出1103 DRAM。到了上世纪80年代，随着日本厂商在DRAM市场快速扩张，英特尔逐步退出这一业务，并将重心转向微处理器。

此后，英特尔又通过NAND闪存和傲腾重新进入存储市场，但最终再次收缩。2020年，公司宣布将NAND及SSD业务出售给SK海力士，相关交易于2025年完成，傲腾产品也已经停止后续开发。

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